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一、参考书目：
西安交大刘恩科主编．《半导体物理学》（第七版）．北京：电子工业出版社，2011
二、复习的总体要求
考生应掌握半导体物理学的基本理论和基本概念，掌握半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布及运动规律；掌握ＰＮ结基本理论；了解半导体表面及半导体的光、热、磁、压阻等各种物理现象。
三、主要复习内容
①半导体中的电子状态
熟练掌握半导体中的电子运动、有效质量、本征半导体的导电机构；掌握锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
②半导体中的杂质和缺陷能级
熟练掌握锗、硅晶体中的杂质能级；理解应用Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体的杂质能级；理解缺陷能级，位错能级。
③热平衡时半导体中载流子的统计分布
掌握状态密度、费米能级载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度
④半导体的导电性
熟练掌握载流子的漂移运动、载流子的散射、迁移率与杂质浓度和温度的关系；了解热载流子。
⑤非平衡载流子
掌握非平衡载流子的注入与复合、非平衡载流子的寿命、准费米能级、复合理论、陷阱效应、载流子的扩散运动、爱因斯坦关系。
⑥ p-n结
理解p-n结及能带图、p-n结的电流电压特性、p-n结电容、p-n结击穿、p-n结隧道效应。
⑦ 金属和半导体的接触
熟练掌握属和半导体接触的整流理论，理解少数载流子的注入、欧姆接触。
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